12月5日消息，在IEDM 2022（2022 IEEE國際電子器件會議）上，英特爾發布了多項突破性研究成果，繼續探索技術創新，以在未來十年內持續推進摩爾定律，最終實現在單個封裝中集成一萬億個晶體管。

英特爾的研究人員展示了以下研究成果：3D封裝技術的新進展，可將密度再提升10倍；超越RibbonFET，用于2D晶體管微縮的新材料，包括僅三個原子厚的超薄材料；能效和存儲的新可能，以實現更高性能的計算；量子計算的新進展。

英特爾技術開發事業部副總裁兼組件研究與設計總經理Gary Patton表示：“自人類發明晶體管75年來，推動摩爾定律的創新在不斷滿足世界指數級增長的計算需求。

在IEDM 2022，英特爾展示了其前瞻性思維和具體的研究進展，有助于突破當前和未來的瓶頸，滿足無限的計算需求，并使摩爾定律在未來繼續保持活力。”

此外，為紀念晶體管誕生75周年，英特爾執行副總裁兼技術開發總經理Ann Kelleher博士將于IEDM 2022主持一場全體會議。

屆時，Kelleher將概述半導體行業持續創新的路徑，即圍繞系統級戰略聯合整個生態系統，以滿足世界日益增長的計算需求并以更有效的方式實現創新，從而以摩爾定律的步伐不斷前進。

此次會議將于太平洋標準時間12月5日周一上午9點45分（北京時間12月6日周二凌晨1點45分）開始，主題為“慶祝晶體管誕生75周年！摩爾定律創新的演進”。

對滿足世界的無限計算需求而言，摩爾定律至關重要，因為數據量的激增和人工智能技術的發展讓計算需求在以前所未有的速度增長。

持續創新正是摩爾定律的基石。在過去二十年，許多里程碑式的創新，如應變硅（strained silicon）、Hi-K金屬柵極（Hi-K metal gate）和FinFET晶體管，都出自英特爾組件研究團隊（Intel’s Components Research Group）。

這些創新在個人電腦、圖形處理器和數據中心領域帶來了功耗和成本的持續降低和性能的不斷增長。

英特爾組件研究團隊目前的路線圖上包含多項進一步的研究，包括RibbonFET全環繞柵極（GAA）晶體管、PowerVia背面供電技術和EMIB、Foveros Direct等突破性的封裝技術。

在IEDM 2022，英特爾的組件研究團隊展示了其在三個關鍵領域的創新進展，以實現摩爾定律的延續：新的3D混合鍵合（hybrid bonding）封裝技術，無縫集成芯粒；超薄2D材料，可在單個芯片上集成更多晶體管；能效和存儲的新可能，以實現更高性能的計算。

英特爾組件研究團隊所研發的新材料和工藝模糊了封裝和芯片制造之間的界限。

英特爾展示了將摩爾定律推進到在單個封裝中集成一萬億個晶體管的關鍵步驟，包括可將互聯密度再提升10倍的先進封裝技術，實現了準單片（quasi-monolithic）芯片。

英特爾還通過材料創新找到了可行的設計選擇，使用厚度僅三個原子的新型材料，從而超越RibbonFET，推動晶體管尺寸的進一步縮小。

英特爾通過下一代3D封裝技術實現準單片芯片：

與IEDM 2021上公布的成果相比，英特爾在IEDM 2022上展示的最新混合鍵合研究將功率密度和性能又提升了10倍。